Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

WO2016051970 Art A1 7. April 2016

Anmelder: Fuji Electric Co., Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2016051970
Aktenzeichen: EP15845817
Anmeldetag: 12. August 2015
Veröffentlichung: 7. April 2016
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/739H01L21/265H01L21/28H01L21/324H01L21/336H01L29/78

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: Fuji Electric Co., Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Fuji Electric

Japanischer Elektrotechnikkonzern mit Sitz in Tokio, tätig in den Bereichen Leistungshalbleiter, Energieerzeugungsanlagen und industrielle Automatisierungstechnik.

2.075 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von