Oxide thin film element, and production method and production device therefor

WO2016052535 Art A1 7. April 2016

Anmelder: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2016052535
Aktenzeichen: EP15846363
Anmeldetag: 29. September 2015
Veröffentlichung: 7. April 2016
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/368H01L21/336H01L29/786H01L29/861H01L29/868

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 National Institute of Advanced Industrial Science and Technology

Staatliches japanisches Forschungsinstitut (AIST), das breit angelegte angewandte Forschung in Bereichen wie Materialwissenschaft, Energie, Elektronik und Biotechnologie betreibt.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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