Dielectric structures for nitride semiconductor devices

WO2016053999 Art A1 7. April 2016

Anmelder: Massachusetts Institute Of Technology 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2016053999
Aktenzeichen: EP15778532
Anmeldetag: 29. September 2015
Veröffentlichung: 7. April 2016
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/28H01L29/51H01L29/20

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Massachusetts Institute Of Technology
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Massachusetts Institute of Technology

US-amerikanische Universität mit Sitz in Cambridge, Massachusetts, eine der weltweit führenden Forschungseinrichtungen. Aktiv in nahezu allen technischen und naturwissenschaftlichen Feldern, darunter Informatik, Ingenieurwesen, Materialwissenschaften und Biotechnologie.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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