Aluminum precursor for thin-film deposition, and preparation method and use thereof

WO2016054963 Art A1 14. April 2016

Anmelder: Jiangnan University, Institute Of Microelectronics, Chinese Academy Of Sciences 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2016054963
Aktenzeichen: EP15849435
Anmeldetag: 17. September 2015
Veröffentlichung: 14. April 2016
Rechtsraum: WO
IPC: C07F5/06C23C16/20

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: Jiangnan University
Institute Of Microelectronics, Chinese Academy Of Sciences
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 Jiangnan University

Jiangnan University ist eine staatliche Universität in Wuxi, China, mit einem Forschungsschwerpunkt auf Lebensmittelwissenschaft, Biotechnologie und Fermentationstechnik.

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🇨🇳 Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences

Chinesisches Forschungsinstitut der Chinese Academy of Sciences mit Schwerpunkt auf Mikroelektronik und Halbleitertechnologie. Patente betreffen Chipdesign und Halbleiterfertigung.

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Fachgebiete

Metallurgie & Oberflächentechnik Organische Chemie

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