Temperature control mechanism for object to be processed, and method for selectively etching nitride film from multilayer film

WO2016056391 Art A1 14. April 2016

Anmelder: Tokyo Electron Limited 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2016056391
Aktenzeichen: EP15849023
Anmeldetag: 24. September 2015
Veröffentlichung: 14. April 2016
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/3065H01L21/683H05H1/46

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Tokyo Electron Limited
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Tokyo Electron

Japanisches Technologieunternehmen mit Sitz in Tokio, einer der weltweit größten Hersteller von Halbleiterfertigungsanlagen. Aktiv in Beschichtungs-, Ätz- und Reinigungssystemen für die Chip- und Displayproduktion.

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Fachgebiete

Elektronik & Schaltungstechnik Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von