Device for manufacturing silicon carbide single crystals and method for manufacturing silicon carbide single crystals

WO2016056599 Art A1 14. April 2016

Anmelder: Nippon Steel & Sumitomo Metal Corporation, Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2016056599
Aktenzeichen: EP15848800
Anmeldetag: 7. Oktober 2015
Veröffentlichung: 14. April 2016
Rechtsraum: WO
IPC: C30B29/36C30B19/10C30B30/04H01L21/208

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: Nippon Steel & Sumitomo Metal Corporation
Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Nippon Steel

Japanischer Stahlkonzern mit Sitz in Tokio, einer der größten Stahlhersteller der Welt. Aktiv in der Produktion von Stahl für Automobilbau, Bauwesen und Schiffbau sowie in Werkstoff- und Verfahrenstechnik.

5.379 Patente in unserer Datenbank

🇯🇵 Toyota Motor Corporation

Japanischer Automobilhersteller mit Sitz in Toyota City, gegründet 1937. Entwickelt und produziert Pkw, Nutzfahrzeuge, Hybrid- und Wasserstoffantriebe sowie zugehörige Fahrzeugtechnologien.

19.338 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

Vertreten von