Recessed Transistors Containing Ferroelectric Material

WO2016057097 Art A1 14. April 2016

Anmelder: Micron Technology, Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2016057097
Aktenzeichen: EP15848819
Anmeldetag: 8. Juli 2015
Veröffentlichung: 14. April 2016
Rechtsraum: WO
IPC: H01L27/115H01L21/8247H01L29/78

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Micron Technology, Inc.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Micron Technology

US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Boise, Idaho. Micron entwickelt und fertigt Speicherchips wie DRAM und NAND-Flash sowie Speicherlösungen für Computer, Mobilgeräte, Rechenzentren und Automobile.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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