Field effect transistor manufacturing method

WO2016060337 Art A1 21. April 2016

Anmelder: Korea Advanced Institute of Science and Technology 🇰🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2016060337
Aktenzeichen: EP15851277
Anmeldetag: 4. Februar 2015
Veröffentlichung: 21. April 2016
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/335

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Korea Advanced Institute of Science and Technology
Land: 🇰🇷 Südkorea

🇰🇷 KAIST

Südkoreanische technische Universität und Forschungsinstitution mit Fokus auf Ingenieurwissenschaften, Naturwissenschaften und Technologieentwicklung, unter anderem in Robotik und Elektronik.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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