Method for fabricating metallic oxide thin film transistor

WO2016061714 Art A1 28. April 2016

Anmelder: Peking University Shenzhen Graduate School 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2016061714
Aktenzeichen: EP14904621
Anmeldetag: 31. Oktober 2014
Veröffentlichung: 28. April 2016
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/28H01L21/336H01L29/786

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Peking University Shenzhen Graduate School
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 Peking University Shenzhen Graduate School

Die Peking University Shenzhen Graduate School ist eine chinesische Hochschuleinrichtung mit Forschungsschwerpunkt in Shenzhen. Das Patentportfolio verteilt sich auf Nachrichtentechnik und Software, ergänzt um Medizintechnik, Halbleiterbauelemente und organische Chemie. Anmeldungen laufen von 2006 bis in die Gegenwart.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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