Substrate and method for producing a substrate

WO2016062674 Art A1 28. April 2016

Anmelder: Soitec 🇫🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2016062674
Aktenzeichen: EP15781919
Anmeldetag: 19. Oktober 2015
Veröffentlichung: 28. April 2016
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/762

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: Soitec
Land: 🇫🇷 Frankreich

🇫🇷 Soitec

Französischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Bernin, spezialisiert auf Silicon-on-Insulator (SOI) Substrate. Patente decken Halbleitermaterialien und Waferbondtechnik ab.

529 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von