Manufacturing method for low-temperature polycrystalline silicon and manufacturing method for thin film transistor (tft) substrate
WO2016065768
Art A1
6. Mai 2016
Anmelder: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co. 🇨🇳
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2016065768
- Aktenzeichen
- EP15855474
- Anmeldetag
- 6. Februar 2015
- Veröffentlichung
- 6. Mai 2016
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L21/02
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co.
- Land
- 🇨🇳 China
🇨🇳
China Star Optoelectronics (CSOT)
Chinesischer Displayhersteller mit Sitz in Shenzhen, Tochtergesellschaft des TCL-Konzerns. CSOT entwickelt und produziert LCD- und OLED-Panels für Fernseher, Monitore und mobile Endgeräte.
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