Oxide and method for forming the same

WO2016067122 Art A1 6. Mai 2016

Anmelder: Semiconductor Energy Laboratory Co. Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2016067122
Aktenzeichen: EP15855397
Anmeldetag: 9. Juni 2015
Veröffentlichung: 6. Mai 2016
Rechtsraum: WO
IPC: C23C14/34H01L21/363H01L21/8234H01L27/088H01L27/146H01L29/786

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Semiconductor Energy Laboratory Co. Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Semiconductor Energy Laboratory

Japanisches Forschungsunternehmen mit Sitz in Atsugi. Semiconductor Energy Laboratory (SEL) forscht an Halbleitertechnologien, Flüssigkristall- und OLED-Displays sowie Dünnschichttransistoren.

4.187 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

Vertreten von