Method for growing silicon carbide epitaxial film

WO2016067918 Art A1 6. Mai 2016

Anmelder: Fuji Electric Co., Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2016067918
Aktenzeichen: EP15853713
Anmeldetag: 14. Oktober 2015
Veröffentlichung: 6. Mai 2016
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/205C23C16/42

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Fuji Electric Co., Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Fuji Electric

Japanischer Elektrotechnikkonzern mit Sitz in Tokio, tätig in den Bereichen Leistungshalbleiter, Energieerzeugungsanlagen und industrielle Automatisierungstechnik.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

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