Thin-film transistor and mos field effect transistor that use hydrophilic/hydrophobic material and production method for said transistors

WO2016068224 Art A1 6. Mai 2016

Anmelder: JSR Corporation 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2016068224
Aktenzeichen: EP15855748
Anmeldetag: 29. Oktober 2015
Veröffentlichung: 6. Mai 2016
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/336G09F9/30H01L21/28H01L21/288H01L29/78H01L29/786

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: JSR Corporation
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 JSR Corporation

JSR Corporation ist ein japanisches Chemieunternehmen, das synthetische Kautschuke sowie Materialien für die Halbleiter- und Displayindustrie herstellt.

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Fachgebiete

Anzeige-, Signal- & Kontrolltechnik Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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