Methods for forming a metal silicide interconnection nanowire structure
WO2016069132
Art A1
6. Mai 2016
Anmelder: Applied Materials, Inc. 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2016069132
- Aktenzeichen
- EP15855847
- Anmeldetag
- 18. September 2015
- Veröffentlichung
- 6. Mai 2016
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L21/28
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Applied Materials, Inc.
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Applied Materials
US-amerikanisches Technologieunternehmen mit Sitz in Santa Clara, Kalifornien. Applied Materials entwickelt Fertigungsanlagen und Prozesstechnologien für die Halbleiter-, Display- und Solarindustrie, unter anderem für Beschichtung, Ätzen und Materialabscheidung.
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