Band gap tailoring for a tunneling dielectric for a three-dimensional memory structure

WO2016069166 Art A1 6. Mai 2016

Anmelder: SanDisk Technologies, Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2016069166
Aktenzeichen: EP15778517
Anmeldetag: 28. September 2015
Veröffentlichung: 6. Mai 2016
Rechtsraum: WO
IPC: H01L27/115H01L29/792H01L29/788H01L29/66

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: SanDisk Technologies, Inc.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 SanDisk

US-amerikanischer Hersteller von Flash-Speicherprodukten wie SSDs, Speicherkarten und USB-Sticks. Das Unternehmen war zeitweise Teil von Western Digital und agiert seit 2025 wieder eigenständig.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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