Semiconductor device which uses germanium layer as channel region and method for manufacturing same

WO2016072398 Art A1 12. Mai 2016

Anmelder: Japan Science and Technology Agency 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2016072398
Aktenzeichen: EP15857589
Anmeldetag: 2. November 2015
Veröffentlichung: 12. Mai 2016
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/336H01L29/78

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Abstract

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Firma: Japan Science and Technology Agency
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Japan Science and Technology Agency

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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