Transistors Having On-Chip Integrared Photon Source Or Photonic-Ohmic Drain To Faciliate De-Trapping Electrons Trapped in Deep Traps Of Transistors

WO2016074642 Art A1 19. Mai 2016

Anmelder: The Hong Kong University of Science and Technology 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2016074642
Aktenzeichen: EP15858137
Anmeldetag: 13. November 2015
Veröffentlichung: 19. Mai 2016
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/778H01L27/15

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: The Hong Kong University of Science and Technology
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 The Hong Kong University of Science and Technology

The Hong Kong University of Science and Technology ist eine chinesische Universität mit breiter naturwissenschaftlicher und technischer Forschung. Das Patentportfolio verteilt sich auf Medizintechnik, organische Chemie und Halbleiterbauelemente, ergänzt um Farben, Messtechnik und Nachrichtentechnik. Anmeldungen laufen von 2002 bis in die Gegenwart.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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