Creation of hyperdoped semiconductors with concurrent high crystallinity and high sub-bandgap absorptance using nanosecond laser annealing

WO2016077587 Art A2 19. Mai 2016

Anmelder: President and Fellows of Harvard College 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2016077587
Aktenzeichen: EP15858891
Anmeldetag: 12. November 2015
Veröffentlichung: 19. Mai 2016
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/223

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: President and Fellows of Harvard College
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Harvard University

US-amerikanische Elite-Universität mit Sitz in Cambridge, Massachusetts. Harvard betreibt Forschung und Patentierung in zahlreichen Feldern, insbesondere Biotechnologie, Medizin, Life Sciences und Materialwissenschaften.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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