Apparatuses and methods for compensating for process, voltage, and temperature variation in a memory

WO2016077970 Art A1 26. Mai 2016

Anmelder: Micron Technology, Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2016077970
Aktenzeichen: EP14906442
Anmeldetag: 17. November 2014
Veröffentlichung: 26. Mai 2016
Rechtsraum: WO
IPC: H03H11/28

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Micron Technology, Inc.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Micron Technology

US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Boise, Idaho. Micron entwickelt und fertigt Speicherchips wie DRAM und NAND-Flash sowie Speicherlösungen für Computer, Mobilgeräte, Rechenzentren und Automobile.

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Fachgebiete

Elektronik & Schaltungstechnik

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