Semiconductor device and method for preventing application of negative potential

WO2016080123 Art A1 26. Mai 2016

Anmelder: Fuji Electric Co., Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2016080123
Aktenzeichen: EP15861345
Anmeldetag: 16. Oktober 2015
Veröffentlichung: 26. Mai 2016
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/822H01L27/04H01L27/06H03K17/16H03K17/695

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Fuji Electric Co., Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Fuji Electric

Japanischer Elektrotechnikkonzern mit Sitz in Tokio, tätig in den Bereichen Leistungshalbleiter, Energieerzeugungsanlagen und industrielle Automatisierungstechnik.

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Fachgebiete

Elektronik & Schaltungstechnik Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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