Manufacturing method for silicon carbide semiconductor device

WO2016080288 Art A1 26. Mai 2016

Anmelder: Fuji Electric Co., Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2016080288
Aktenzeichen: EP15861913
Anmeldetag: 12. November 2015
Veröffentlichung: 26. Mai 2016
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/739H01L21/265H01L21/329H01L21/336H01L29/12H01L29/78H01L29/861H01L29/868

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Fuji Electric Co., Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Fuji Electric

Japanischer Elektrotechnikkonzern mit Sitz in Tokio, tätig in den Bereichen Leistungshalbleiter, Energieerzeugungsanlagen und industrielle Automatisierungstechnik.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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