Semiconductor device and method for manufacturing same
WO2016084202
Art A1
2. Juni 2016
Anmelder: Renesas Electronics Corporation 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2016084202
- Aktenzeichen
- EP14906695
- Anmeldetag
- 27. November 2014
- Veröffentlichung
- 2. Juni 2016
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L21/82
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Renesas Electronics Corporation
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Renesas Electronics
Japanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Tokio, spezialisiert auf Mikrocontroller, analoge Bauelemente und Halbleiterlösungen unter anderem für die Automobil- und Industrieelektronik.
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