Method for producing semiconductor device and semiconductor device

WO2016088196 Art A1 9. Juni 2016

Anmelder: Renesas Electronics Corporation 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2016088196
Aktenzeichen: EP14907258
Anmeldetag: 2. Dezember 2014
Veröffentlichung: 9. Juni 2016
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/8247H01L27/115

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: Renesas Electronics Corporation
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Renesas Electronics

Japanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Tokio, spezialisiert auf Mikrocontroller, analoge Bauelemente und Halbleiterlösungen unter anderem für die Automobil- und Industrieelektronik.

1.103 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von