Wafer-level manufacturing method for embedding passive element in glass substrate
WO2016091222
Art A1
16. Juni 2016
Anmelder: Southeast University 🇨🇳
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2016091222
- Aktenzeichen
- EP15866574
- Anmeldetag
- 24. Dezember 2015
- Veröffentlichung
- 16. Juni 2016
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- B81C1/00
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Southeast University
- Land
- 🇨🇳 China
🇨🇳
Southeast University
Chinesische Universität mit Sitz in Nanjing, Schwerpunkt auf Ingenieur- und Technikwissenschaften.
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