Silicon carbide semiconductor device and process for producing same

WO2016092960 Art A1 16. Juni 2016

Anmelder: Fuji Electric Co., Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2016092960
Aktenzeichen: EP15866510
Anmeldetag: 26. Oktober 2015
Veröffentlichung: 16. Juni 2016
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/336H01L21/28H01L29/12H01L29/41H01L29/423H01L29/49H01L29/78

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Fuji Electric Co., Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Fuji Electric

Japanischer Elektrotechnikkonzern mit Sitz in Tokio, tätig in den Bereichen Leistungshalbleiter, Energieerzeugungsanlagen und industrielle Automatisierungstechnik.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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