Microstructure formation method, method for manufacturing semiconductor device, and cmos formation method

WO2016093287 Art A1 16. Juni 2016

Anmelder: Tokyo Electron Limited, The University of Tokyo 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2016093287
Aktenzeichen: EP15867424
Anmeldetag: 3. Dezember 2015
Veröffentlichung: 16. Juni 2016
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/20H01L21/265H01L21/8238H01L27/092H01L29/06

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: Tokyo Electron Limited
The University of Tokyo
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Tokyo Electron

Japanisches Technologieunternehmen mit Sitz in Tokio, einer der weltweit größten Hersteller von Halbleiterfertigungsanlagen. Aktiv in Beschichtungs-, Ätz- und Reinigungssystemen für die Chip- und Displayproduktion.

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🇯🇵 University of Tokyo

Japanische Universität mit Sitz in Tokio, eine der führenden Forschungsuniversitäten Asiens. Die Universität ist in nahezu allen wissenschaftlichen und technischen Disziplinen aktiv, darunter Materialwissenschaften, Elektrotechnik, Biotechnologie und Medizin.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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