Method for forming p-type semiconductor thin film structure and method for manufacturing p-type ohmic electrode using same

WO2016098978 Art A1 23. Juni 2016

Anmelder: Korea University Research and Business Foundation 🇰🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2016098978
Aktenzeichen: EP15870146
Anmeldetag: 8. Juli 2015
Veröffentlichung: 23. Juni 2016
Rechtsraum: WO
IPC: H01L33/00H01L33/36

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Korea University Research and Business Foundation
Land: 🇰🇷 Südkorea

🇰🇷 Korea University Research and Business Foundation

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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