Device and method for testing semiconductor element, using dynamic characteristic of junction temperature

WO2016099197 Art A1 23. Juni 2016

Anmelder: Korea Electronics Technology Institute 🇰🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2016099197
Aktenzeichen: EP15870364
Anmeldetag: 18. Dezember 2015
Veröffentlichung: 23. Juni 2016
Rechtsraum: WO
IPC: G01R31/26G01R19/165G01R31/28

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Korea Electronics Technology Institute
Land: 🇰🇷 Südkorea

🇰🇷 Korea Electronics Technology Institute

Staatlich gefördertes südkoreanisches Forschungsinstitut für Elektronik- und IT-Technologien mit Sitz in Seongnam, das Unternehmen bei Entwicklung und Kommerzialisierung neuer Technologien unterstützt.

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Fachgebiete

Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik

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