Bulk Direct Gap MOS2 By Plasma Induced Layer Decoupling

WO2016100538 Art A1 23. Juni 2016

Anmelder: University of Southern California, Regents of the University of California 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2016100538
Aktenzeichen: EP15871003
Anmeldetag: 16. Dezember 2015
Veröffentlichung: 23. Juni 2016
Rechtsraum: WO
IPC: H01L31/0749H01L31/0224H01L31/0264

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: University of Southern California
Regents of the University of California
Land: 🇺🇸 USA

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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