Self-gating resistance random access memory unit and manufacturing method therefor

WO2016101246 Art A1 30. Juni 2016

Anmelder: Institute Of Microelectronics, Chinese Academy Of Sciences 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2016101246
Aktenzeichen: EP14908814
Anmeldetag: 26. Dezember 2014
Veröffentlichung: 30. Juni 2016
Rechtsraum: WO
IPC: H01L27/24H01L45/00

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Institute Of Microelectronics, Chinese Academy Of Sciences
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences

Chinesisches Forschungsinstitut der Chinese Academy of Sciences mit Schwerpunkt auf Mikroelektronik und Halbleitertechnologie. Patente betreffen Chipdesign und Halbleiterfertigung.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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