Semiconductor device

WO2016103359 Art A1 30. Juni 2016

Anmelder: Renesas Electronics Corporation 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2016103359
Aktenzeichen: EP14908966
Anmeldetag: 24. Dezember 2014
Veröffentlichung: 30. Juni 2016
Rechtsraum: WO
IPC: H01L23/32H01L23/00H01L23/12H01L25/065H01L25/07H01L25/18H05K3/46

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Renesas Electronics Corporation
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Renesas Electronics

Japanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Tokio, spezialisiert auf Mikrocontroller, analoge Bauelemente und Halbleiterlösungen unter anderem für die Automobil- und Industrieelektronik.

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Fachgebiete

Elektronik & Schaltungstechnik Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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