Multilayer Insulation Film Storage Element
WO2016104637
Art A1
30. Juni 2016
Anmelder: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2016104637
- Aktenzeichen
- EP15873205
- Anmeldetag
- 24. Dezember 2015
- Veröffentlichung
- 30. Juni 2016
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L21/336H01L21/8247H01L27/115H01L29/788H01L29/792
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- National Institute of Advanced Industrial Science and Technology
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology
Staatliches japanisches Forschungsinstitut (AIST), das breit angelegte angewandte Forschung in Bereichen wie Materialwissenschaft, Energie, Elektronik und Biotechnologie betreibt.
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