Diamond semiconductor device

WO2016104684 Art A1 30. Juni 2016

Anmelder: National University Corporation Hokkaido University, National Institute of Advanced Industrial Science and Technology, National Institute for Materials Science 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2016104684
Aktenzeichen: EP15873252
Anmeldetag: 25. Dezember 2015
Veröffentlichung: 30. Juni 2016
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/338C01B31/06H01L21/205H01L21/265H01L21/336H01L29/78H01L29/812H01L29/872

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firmen: National University Corporation Hokkaido University
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology
National Institute for Materials Science
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 National University Corporation Hokkaido University

Staatliche japanische Universität in Sapporo mit breiter Forschung, u.a. in Agrarwissenschaften, Ingenieurwesen und Materialwissenschaften.

882 Patente in unserer Datenbank

🇯🇵 National Institute of Advanced Industrial Science and Technology

Staatliches japanisches Forschungsinstitut (AIST), das breit angelegte angewandte Forschung in Bereichen wie Materialwissenschaft, Energie, Elektronik und Biotechnologie betreibt.

147 Patente in unserer Datenbank

🇯🇵 National Institute for Materials Science

Japanisches staatliches Forschungsinstitut mit Sitz in Tsukuba, das auf Materialwissenschaft und Werkstoffforschung spezialisiert ist.

828 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Anorganische Chemie & Werkstoffe Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von