Member for gas sensor, having a metal oxide semiconductor tube wall with micropores and macropores, gas sensor, and method for manufacturing same
WO2016105012
Art A1
30. Juni 2016
Anmelder: Korea Advanced Institute of Science and Technology 🇰🇷
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2016105012
- Aktenzeichen
- EP15873539
- Anmeldetag
- 15. Dezember 2015
- Veröffentlichung
- 30. Juni 2016
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- B82B1/00G01N27/407G01N27/30B82Y15/00
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Korea Advanced Institute of Science and Technology
- Land
- 🇰🇷 Südkorea
🇰🇷
KAIST
Südkoreanische technische Universität und Forschungsinstitution mit Fokus auf Ingenieurwissenschaften, Naturwissenschaften und Technologieentwicklung, unter anderem in Robotik und Elektronik.
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