Epitaxial substrate for electronic device, electronic device, method for producing epitaxial substrate for electronic device, and method for producing electronic device
WO2016110906
Art A1
14. Juli 2016
Anmelder: Shin-Etsu Handotai Co., Ltd., Sanken Electric Co., Ltd. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2016110906
- Aktenzeichen
- EP15876786
- Anmeldetag
- 18. Dezember 2015
- Veröffentlichung
- 14. Juli 2016
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L21/338H01L21/20H01L21/336H01L29/778H01L29/78H01L29/812
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- Shin-Etsu Handotai Co., Ltd.
Sanken Electric Co., Ltd. - Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Shin-Etsu Handotai
Japanisches Unternehmen der Shin-Etsu-Gruppe, das Siliziumwafer für die Halbleiterindustrie herstellt.
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