Composition for forming silicon-containing film and pattern forming method using said composition

WO2016111210 Art A1 14. Juli 2016

Anmelder: JSR Corporation 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2016111210
Aktenzeichen: EP15877082
Anmeldetag: 25. Dezember 2015
Veröffentlichung: 14. Juli 2016
Rechtsraum: WO
IPC: G03F7/11G03F7/26G03F7/42H01L21/027C08G77/28

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: JSR Corporation
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 JSR Corporation

JSR Corporation ist ein japanisches Chemieunternehmen, das synthetische Kautschuke sowie Materialien für die Halbleiter- und Displayindustrie herstellt.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Kunststoff- & Polymertechnik Optik & Fototechnik

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