Semiconductor laser device

WO2016111332 Art A1 14. Juli 2016

Anmelder: Hamamatsu Photonics K.K. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2016111332
Aktenzeichen: EP16735071
Anmeldetag: 7. Januar 2016
Veröffentlichung: 14. Juli 2016
Rechtsraum: WO
IPC: H01S5/022G02F1/13H01S5/187

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Hamamatsu Photonics K.K.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Hamamatsu Photonics

Japanisches Unternehmen für Photonik mit Sitz in Hamamatsu, spezialisiert auf Photodetektoren, Bildsensoren, Laser und optische Messtechnik für Wissenschaft und Industrie.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Optik & Fototechnik

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