Three-dimensional electrode structure of semiconductor device, manufacturing method and application thereof

WO2016112773 Art A1 21. Juli 2016

Anmelder: Xi'an Jiaotong University 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2016112773
Aktenzeichen: EP15877684
Anmeldetag: 21. Dezember 2015
Veröffentlichung: 21. Juli 2016
Rechtsraum: WO
IPC: H01L31/0224H01L31/18

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Xi'an Jiaotong University
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 Xi'an Jiaotong University

Die Xi'an Jiaotong University ist eine der führenden technischen Universitäten Chinas mit Sitz in Xi'an. Das Patentportfolio ist breit gestreut über Software und Datenverarbeitung, Mess- und Prüftechnik sowie Halbleiterbauelemente, ergänzt um Medizintechnik und elektrische Energietechnik. Anmeldungen erfolgen seit 2005 bis in die Gegenwart.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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