Semiconductor device and method for manufacturing same

WO2016117072 Art A1 28. Juli 2016

Anmelder: Renesas Electronics Corporation 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2016117072
Aktenzeichen: EP15878765
Anmeldetag: 22. Januar 2015
Veröffentlichung: 28. Juli 2016
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/56H01L21/60H01L21/822H01L27/04

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Renesas Electronics Corporation
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Renesas Electronics

Japanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Tokio, spezialisiert auf Mikrocontroller, analoge Bauelemente und Halbleiterlösungen unter anderem für die Automobil- und Industrieelektronik.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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