Crystal growth apparatus, method for producing silicon carbide single crystal, silicon carbide single crystal substrate and silicon carbide epitaxial substrate

WO2016117251 Art A1 28. Juli 2016

Anmelder: Sumitomo Electric Industries, Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2016117251
Aktenzeichen: EP15878940
Anmeldetag: 17. Dezember 2015
Veröffentlichung: 28. Juli 2016
Rechtsraum: WO
IPC: C30B29/36C23C14/06C23C14/24C23C16/42C23C16/44C30B23/06H01L21/205

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Sumitomo Electric Industries, Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Sumitomo Electric Industries

Japanischer Technologiekonzern mit Sitz in Osaka, Teil der Sumitomo-Gruppe. Aktiv in Kabel- und Glasfasertechnologie, Halbleitern, Automobilkomponenten sowie Elektronik- und Werkstofftechnik.

11.193 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

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