Method for forming perpendicular magnetization type magnetic tunnel junction element and apparatus for producing perpendicular magnetization type magnetic tunnel junction element

WO2016117359 Art A1 28. Juli 2016

Anmelder: Tokyo Electron Limited 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2016117359
Aktenzeichen: EP16739966
Anmeldetag: 6. Januar 2016
Veröffentlichung: 28. Juli 2016
Rechtsraum: WO
IPC: H01L43/12C23C14/58H01F10/16H01F10/26H01F41/18H01L21/8246H01L27/105H01L43/08H01L43/10

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Tokyo Electron Limited
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Tokyo Electron

Japanisches Technologieunternehmen mit Sitz in Tokio, einer der weltweit größten Hersteller von Halbleiterfertigungsanlagen. Aktiv in Beschichtungs-, Ätz- und Reinigungssystemen für die Chip- und Displayproduktion.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

Vertreten von