Near-Infrared Light-Emitting Semiconductor Single-Layer Carbon Nanotube

WO2016117633 Art A1 28. Juli 2016

Anmelder: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2016117633
Aktenzeichen: EP16740240
Anmeldetag: 21. Januar 2016
Veröffentlichung: 28. Juli 2016
Rechtsraum: WO
IPC: C01B31/02B82Y20/00B82Y30/00B82Y40/00

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 National Institute of Advanced Industrial Science and Technology

Staatliches japanisches Forschungsinstitut (AIST), das breit angelegte angewandte Forschung in Bereichen wie Materialwissenschaft, Energie, Elektronik und Biotechnologie betreibt.

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Fachgebiete

Anorganische Chemie & Werkstoffe

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