Magnetoresistance effect element and magnetic memory
WO2016117664
Art A1
28. Juli 2016
Anmelder: Tohoku University 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2016117664
- Aktenzeichen
- EP16740271
- Anmeldetag
- 21. Januar 2016
- Veröffentlichung
- 28. Juli 2016
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L21/8246H01L27/105H01L29/82H01L43/08
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Tohoku University
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Tohoku University
Staatliche Universität in Sendai, Japan, mit Forschungsschwerpunkten unter anderem in Materialwissenschaften und Werkstofftechnik.
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Fachgebiete
Vertreten von
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