Multi-layer semiconductor devices fabricated using a combination of substrate and via structures and fabrication techniques

WO2016118209 Art A2 28. Juli 2016

Anmelder: Massachusetts Institute of Technology 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2016118209
Aktenzeichen: EP15879219
Anmeldetag: 5. November 2015
Veröffentlichung: 28. Juli 2016
Rechtsraum: WO
IPC: H01L23/48

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Massachusetts Institute of Technology
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Massachusetts Institute of Technology

US-amerikanische Universität mit Sitz in Cambridge, Massachusetts, eine der weltweit führenden Forschungseinrichtungen. Aktiv in nahezu allen technischen und naturwissenschaftlichen Feldern, darunter Informatik, Ingenieurwesen, Materialwissenschaften und Biotechnologie.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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