Semiconductor device and manufacturing method thereof
WO2016119479
Art A1
4. August 2016
Anmelder: CSMC Technologies Fab2 Co., Ltd. 🇨🇳
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2016119479
- Aktenzeichen
- EP15879677
- Anmeldetag
- 23. September 2015
- Veröffentlichung
- 4. August 2016
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L29/78H01L29/06H01L21/336H01L21/265
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- CSMC Technologies Fab2 Co., Ltd.
- Land
- 🇨🇳 China
🇨🇳
CSMC Technologies Fab2
CSMC Technologies Fab2 Co., Ltd. ist ein chinesischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Wuxi, der als Foundry Leistungshalbleiter und analoge Bauelemente fertigt. Das Patentportfolio konzentriert sich fast vollständig auf Halbleiter und elektrische Bauelemente, ergänzt um Elektronik, Optik und Mess- und Prüftechnik. Anmeldungen erfolgen seit 2010 bis in die Gegenwart.
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