Method, device and system for measuring an electrical characteristic of a substrate

WO2016120122 Art A1 4. August 2016

Anmelder: Soitec, Université Catholique de Louvain 🇫🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2016120122
Aktenzeichen: EP16700995
Anmeldetag: 19. Januar 2016
Veröffentlichung: 4. August 2016
Rechtsraum: WO
IPC: G01R31/26G01R31/28

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: Soitec
Université Catholique de Louvain
Land: 🇫🇷 Frankreich

🇫🇷 Soitec

Französischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Bernin, spezialisiert auf Silicon-on-Insulator (SOI) Substrate. Patente decken Halbleitermaterialien und Waferbondtechnik ab.

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Fachgebiete

Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik

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