Method, device and system for measuring an electrical characteristic of a substrate

WO2016120122 Art A1 4. August 2016

Anmelder: Soitec, Université Catholique de Louvain 🇫🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2016120122
Aktenzeichen: EP16700995
Anmeldetag: 19. Januar 2016
Veröffentlichung: 4. August 2016
Rechtsraum: WO
IPC: G01R31/26G01R31/28

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firmen: Soitec
Université Catholique de Louvain
Land: 🇫🇷 Frankreich

🇫🇷 Soitec

Französischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Bernin, spezialisiert auf Silicon-on-Insulator (SOI) Substrate. Patente decken Halbleitermaterialien und Waferbondtechnik ab.

801 Patente in unserer Datenbank

🇧🇪 Université Catholique de Louvain

Die Université Catholique de Louvain ist eine belgische Universität mit breitem naturwissenschaftlichem Forschungsprofil. Das Patentportfolio konzentriert sich auf Medizintechnik und Pharma/Biotechnologie, ergänzt durch Messtechnik, organische Chemie und Halbleitertechnik. Die Anmeldungen stammen aus den Jahren 2001 bis 2025.

281 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik

Vertreten von