Semiconductor device and manufacturing method thereof

WO2016120741 Art A1 4. August 2016

Anmelder: Semiconductor Energy Laboratory Co. Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2016120741
Aktenzeichen: EP16742852
Anmeldetag: 15. Januar 2016
Veröffentlichung: 4. August 2016
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/786H01L21/336H01L21/363H01L21/365H01L21/477H01L21/8234H01L21/8238H01L21/8242H01L27/088H01L27/092H01L27/108H01L27/146

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Semiconductor Energy Laboratory Co. Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Semiconductor Energy Laboratory

Japanisches Forschungsunternehmen mit Sitz in Atsugi. Semiconductor Energy Laboratory (SEL) forscht an Halbleitertechnologien, Flüssigkristall- und OLED-Displays sowie Dünnschichttransistoren.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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