Method for producing oxide single crystal substrate for surface acoustic wave elements

WO2016121429 Art A1 4. August 2016

Anmelder: Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2016121429
Aktenzeichen: EP16743033
Anmeldetag: 6. Januar 2016
Veröffentlichung: 4. August 2016
Rechtsraum: WO
IPC: H03H3/08C30B31/02H01L41/187H01L41/39H03H9/25

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Shin-Etsu Chemical

Japanisches Chemieunternehmen mit Sitz in Tokio. Shin-Etsu Chemical stellt Siliziumwafer für Halbleiter, Silikonprodukte, PVC und weitere Spezialchemikalien für Elektronik-, Bau- und Industrieanwendungen her.

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Fachgebiete

Elektronik & Schaltungstechnik Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

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