Oxide and manufacturing method thereof

WO2016125049 Art A1 11. August 2016

Anmelder: Semiconductor Energy Laboratory Co. Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2016125049
Aktenzeichen: EP16746188
Anmeldetag: 27. Januar 2016
Veröffentlichung: 11. August 2016
Rechtsraum: WO
IPC: C01B13/14C01G15/00C04B35/00C23C14/08C23C14/34H01L21/336H01L21/363H01L21/8234H01L21/8238H01L21/8242H01L27/088H01L27/092H01L27/108H01L27/146H01L29/786

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Semiconductor Energy Laboratory Co. Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Semiconductor Energy Laboratory

Japanisches Forschungsunternehmen mit Sitz in Atsugi. Semiconductor Energy Laboratory (SEL) forscht an Halbleitertechnologien, Flüssigkristall- und OLED-Displays sowie Dünnschichttransistoren.

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Fachgebiete

Anorganische Chemie & Werkstoffe Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

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